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我使用 N 沟道 MOSFET ( STN3NF06L ) 设计了一个风扇控制电路。风扇在 12V 下运行,并且我使用光耦合器 ( ACPL-W314-000E )将 12V 侧与 3.3V 微控制器侧隔离。

我遇到了 MOSFET 过热问题。打开后,最高温度达到 120°C。

有人能解释为什么 MOSFET 会过热吗?我的假设是栅极驱动器可能无法提供足够的电荷来克服米勒平台,因此漏源通道可能未完全打开。我给出的电压远高于栅极阈值电压。栅极驱动器是否无法将足够的电荷驱动到栅极电容器中?

从按键开关到 MOSFET 的电流约为 1A。负载最初拉动 1.7A,然后稳定在 0.9A。

此外,我发现只有当栅极下拉电阻 R95 被移除时,风扇才会打开。

运行时栅极和源极之间的电压约为3V。

  • MOSFET:STN3NF06L
  • 光耦合器:ACPL-W314-000E
  • 钥匙开关= 12V(电池供电)

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    如果您在关闭通路元件时没有二极管或其他东西来处理来自风扇的电流脉冲,那么您会很快将其烧坏。
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    将来,请使用标准符号代替块。这样可以使示意图更易于阅读。
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最佳答案
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问题在于你将风扇安装到了错误的位置 – 你的 MOSFET 在其欧姆区内运行。

要修正电路,请将 MOSFET 的源极接地。并将风扇置于钥匙开关电源和 MOSFET 漏极之间。

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    我对这里的措辞有点困惑。MOSFET 在建议的电路校正之前或之后在欧姆区运行?
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    当前电路中的 MOSFET 工作在欧姆区(线性工作)。如果 MOSFET 接地,它将工作在饱和区@SteKulov
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看起来你有一个 N 沟道 MOSFET 作为“源极跟随器”工作,也称为“”。这意味着源极电压总是比栅极电压低几伏(低超过葛斯HG年代电视HV_{GS(TH)}(您可以在中找到)并且从未完全打开:

示意图

创建原理图

尽管 MOSFET 的栅极电压为 +12V,但其源极(在本例中)电压为 +9.4V,因此 MOSFET 的漏极和源极之间的通道电压为 2.6V。该通道在此处通过近 1A 的电流,因此 MOSFET 消耗的功率为:

=×= 1A × 2.6V= 2.6=×=1A×2.6=2.6西

P = I \times V = 1A \times 2.6V = 2.6W

几秒钟后 MOSFET 就会过热。

您必须将 MOSFET 与共源(源极接地)连接,以确保当栅极为 +12V 时它完全导通:

示意图

当负载(此处的 R1,即您的风扇)和源极(节点 S)保持在 0V 时,MOSFET 两端的电压仅为 0.1V 左右,电流为 1.2A,晶体管耗散的功率为:

=×= 1.2A × 0.1V= 0.12=×=1.2A×0.1=0.12西

P = I \times V = 1.2A \times 0.1V = 0.12W

这更合理。除了晶体管在此配置中的不同行为外,唯一的其他区别是负载(风扇)位于晶体管的高端。

您使用的光耦合器具有推挽输出,完全能够直接驱动栅极,但您的设计中的 R93 太大,无法利用这一点。如果您使用 PWM 控制风扇速度,则需要更小的栅极电阻。如果您只是长时间(例如一秒或更长时间)打开和关闭风扇,那么我认为 1.5kΩ 就足够了,但我仍然建议使用较小的电阻。

在对风扇了解不多的情况下,我建议在风扇上跨接一个二极管,以保护 MOSFET 免受电感负载引起的电压尖峰的影响。

R95 仅用于降低栅极电位,通过与 R93 形成分压器,这在原始电路中会进一步降低源极电位,而这正是 MOSFET 发热的根本原因。移除 R95 肯定会改善原始电路的性能。这完全没有必要(对于共漏极或共源极),因为这种特定的晶体管模型可以容忍葛斯G年代V_{GS}最高可达16V。

如果光耦合器的输出能够浮动,R94 会很有用,并且可以防止 MOSFET 在这种情况下意外开启。光耦合器的推挽输出不能浮动,并且始终是明确的高或低,这使得 R94 毫无意义,尤其是考虑到 R95 具有相同的效果。

以下是我的建议:

示意图

最后,不要忘记电源去耦电容,靠近电机正极和 MOSFET 源极,也靠近光耦合器的CCCCV_{CC}V_{EE}

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