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我知道如果 mosfet 的工作温度低于 100 摄氏度，就没有什么可担心的，如果 mosfet 的工作温度低于这个温度，制造商通常不会费心安装散热器。但从 mosfet 效率的角度来看，或者为了电流和信号的稳定性，保持 mosfet 冷却还有其他好处吗？我问这个问题，因为我身边有很多小散热器。在决定扔掉它们之前，我试图让它们重获新生。
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通常，部件越冷，可靠性就越高。对于需要长期使用的应用而言，正常室内环境温度下 100°C 实际上非常热，特别是在环境变得非常热的情况下。
此外，MOSFET 的 Rds(on) 会随温度升高而升高，因此传导损耗会随温度升高而恶化。以下是来自数据的常见 IRLZ44 MOSFET 的典型 Rds(on) 与温度行为：
如您所见，在 100°C 时，其性能已经比室温下低 50%，在 Tj(max) 时则高达约两倍。传导损耗（单位为瓦）与电阻成正比。
阈值电压也会随着温度而变化，并且泄漏通常每 10°C 翻一番，但这些对于 MOSFET 来说可能并不太重要。
肖特基二极管在 Tj(max) 时可能具有极高的漏电流，高达数百 mA。当然，模拟电路也会受到影响。如果是模拟设备，降低设备中“热点”的温度可以提高整体性能，并可以延长整体寿命 – MOSFET 不仅会加热自身，还可能加热附近的电解电容器，而电解电容器的寿命有限，并且高度依赖于温度。
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除了损耗（即效率低下）随温度上升外，你 (@ST2008) 还需要考虑热失控的可能性 – 温度越来越高，RDS_on 就会上升，自热也会上升，温度就会越来越高，如此反复，直到发生故障
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是的，RDson 会随着温度升高而增加。保持较低的温度有助于降低器件的功耗。
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粗略的经验法则是，结温每升高 10°C，半导体寿命就会减半。在 TO-220 上添加一个小型散热器，温度很容易就会降低 50-60°C。
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这个。我也用这个经验法则，我确信它的起源是 MIL-HDBK 标准中的可靠性计算，其中有一个温度因子（所有这些都是通过统计获得的）。
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